2007-03-29 1 20 0 7-0 3-2 9 silicon pin photodiode with daylight blocking filter silizium-pin-fotodiode mit tageslichtsperrfilter version 1.0 bpw 34 f ordering information bestellinformation features: besondere merkmale: ? especially suitable for the wavelength range of 780 nm to 1100 nm ? speziell geeignet fr den wellenl?ngenbereich von 780 nm bis 1100 nm ? short switching time (typ. 20 ns) ? kurze schaltzeit (typ. 20 ns) ? dil plastic package with high packing density ? dil-plastikbauform mit hoher packungsdichte applications anwendungen ? automotive (eg rain sensor, headset) ? automotomobil (z.b. regensensor, headset) ? ir remote control of hi-fi and tv sets, video tape recorders, dimmers, remote controls of various equipment ? ir-fernsteuerung von fernseh- und rundfunkger?ten, videorecordern, lichtdimmern, ger?tefernsteuerungen ? photointerrupters ? lichtschranken type: photocurrent ordering code typ: fotostrom bestellnummer = 950 nm, e e = 1 mw/cm 2 , v r = 5 v i p [a] bpw 34 f 50 ( 40) q62702p0929
2007-03-29 2 version 1.0 bpw 34 f maximum ratings (t a = 25 c) grenzwerte characteristics (t a = 25 c) kennwerte parameter symbol values unit bezeichnung symbol werte einheit operating and storage temperature range betriebs- und lagertemperatur t op ; t stg -40 ... 100 c reverse voltage sperrspannung v r 16 v reverse voltage sperrspannung (t < 2 min) v r 32 v total power dissipation verlustleistung p tot 150 mw parameter symbol values unit bezeichnung symbol werte einheit photocurrent fotostrom (v r = 5 v, = 950 nm, e e =1 mw/cm 2 ) i p 50 ( 40) a wavelength of max. sensitivity wellenl?nge der max. fotoempfindlichkeit s max 950 nm spectral range of sensitivity spektraler bereich der fotoempfindlichkeit 10% 780 ... 1100 nm radiant sensitive area bestrahlungsempfindliche fl?che a7.02mm 2 dimensions of radiant sensitive area abmessung der bestrahlungsempfindlichen fl?che l x w 2.65 x 2.65 mm x mm half angle halbwinkel ? 60 dark current dunkelstrom (v r = 10 v) i r 2 ( 30) na spectral sensitivity of the chip spektrale fotoempfindlichkeit des chips ( = 950 nm) s typ 0.7 a / w
version 1.0 bpw 34 f 2007-03-29 3 quantum yield of the chip quantenausbeute des chips ( = 950 nm) 0.91 electro ns /photon open-circuit voltage leerlaufspannung (e e = 0.5 mw/cm 2 , = 950 nm) v o 330 ( 275) mv short-circuit current kurzschlussstrom (e e = 0.5 mw/cm 2 , = 950 nm) i sc 25 a rise and fall time anstiegs- und abfallzeit (v r = 5 v, r l = 50 ? , = 850 nm, i p = 800 a) t r , t f 0.02 s forward voltage durchlassspannung ( i f = 100 ma, e = 0) v f 1.3 v capacitance kapazit?t ( v r = 0 v, f = 1 mhz, e = 0) c 0 72 pf temperature coefficient of v o temperaturkoeffizient von v o tc v -2.6 mv / k temperature coefficient of i sc temperaturkoeffizient von i sc ( = 950 nm) tc i 0.18 % / k noise equivalent power rausch?quivalente strahlungsleistung (v r = 10 v, = 950 nm) nep 0.036 pw / hz ? detection limit nachweisgrenze (v r = 10 v, = 950 nm) d * 7.3e12 cm x hz ? / w parameter symbol values unit bezeichnung symbol werte einheit
2007-03-29 4 version 1.0 bpw 34 f relative spectral sensitivity relative spektrale empfindlichkeit s rel = f( ) photocurrent / open-circuit voltage fotostrom / leerlaufspannung i p (v r = 5 v) / v o = f(e e ) total power dissipation verlustleistung p tot = f(t a ) dark current dunkelstrom i r = f(v r ), e = 0 ohf00368 0 rel s 700 20 40 60 80 % 100 nm 800 900 1000 1200 e ohf01097 e 0 10 p 10 1 10 2 10 4 10 -1 10 0 10 1 10 2 4 10 3 10 2 10 1 10 10 0 v o amv p v o 3 10 w/cm 2 t ohf00958 a 0 tot p 0 20 40 60 80 ?c 100 mw 20 40 60 80 100 120 140 160 0 ohf00080 r r v 0 5 10 15 v 20 1000 2000 3000 4000 pa
version 1.0 bpw 34 f 2007-03-29 5 capacitance kapazit?t c = f(v r ), f = 1 mhz, e = 0 dark current dunkelstrom i r = f(t a ), v r = 10 v, e = 0 directional characteristics winkeldiagramm s rel = f( ? ) v ohf00081 r -2 10 c 0 -1 10 0 10 1 10 2 10 v 10 20 30 40 50 60 70 80 pf 100 t ohf00082 a -1 10 0 r 10 0 10 1 10 2 10 3 na 20 40 60 80 ?c 100 ohf01402 90 80 70 60 50 40 30 20 10 20 40 60 80 100 120 0.4 0.6 0.8 1.0 ? 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 100 0 0 0
2007-03-29 6 version 1.0 bpw 34 f package outline ma?zeichnung dimensions in mm (inch). / ma?e in mm (inch). package dil, epoxy geh?use dil, harz geoy6643 4.0 (0.157) 3.7 (0.146) 4.3 (0.169) 4.5 (0.177) 5.4 (0.213) 4.9 (0.193) 0.6 (0.024) 0.4 (0.016) 0.6 (0.024) 0.4 (0.016) 1.2 (0.047) 0.7 (0.028) 0.3 (0.012) 0.5 (0.020) 0.8 (0.031) 0.6 (0.024) cathode marking 0.6 (0.024) 0.8 (0.031) 1.9 (0.075) 2.2 (0.087) 3.0 (0.118) 3.5 (0.138) 0.6 (0.024) 0.4 (0.016) chip position 0.4 (0.016) 0.6 (0.024) 0.35 (0.014) 0.2 (0.008) 0 ... 5? 5.08 (0.200) spacing 1.4 (0.055) photosensitive area 2.65 (0.104) x 2.65 (0.104) 1.8 (0.071)
version 1.0 bpw 34 f 2007-03-29 7 ttw soldering wellenl?ten (ttw) iec-61760-1 ttw / iec-61760-1 ttw ohly0598 0 0 50 100 150 200 250 50 100 150 200 250 300 t t c s 235 c 10 s c ... 260 1. welle 1. wave 2. welle 2. wave 5 k/s 2 k/s ca 200 k/s cc ... 130 100 2 k/s zwangsk?hlung forced cooling normalkurve standard curve grenzkurven limit curves
2007-03-29 8 version 1.0 bpw 34 f disclaimer disclaimer attention please! the information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. terms of delivery and rights to change design reserved. due to technical requirements components may contain dangerous substances. for information on the types in question please contact our sales organization. if printed or downloaded, please find the latest version in the internet. packing please use the recycling operators known to you. we can also help you ? get in touch with your nearest sales office. by agreement we will take packing material back, if it is sorted. you must bear the costs of transport. for packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! critical components* may only be used in life-support devices** or systems with the express written approval of osram os. *) a critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. **) life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. if they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered. bitte beachten! lieferbedingungen und ?nderungen im design vorbehalten. aufgrund technischer anforderungen k?nnen die bauteile gefahrstoffe enthalten. fr weitere informationen zu gewnschten bauteilen, wenden sie sich bitte an unseren vertrieb. falls sie dieses datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben, finden sie die aktuellste version im internet. verpackung benutzen sie bitte die ihnen bekannten recyclingwege. wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden sie sich bitte an das n?chstgelegene vertriebsbro. wir nehmen das verpackungsmaterial zurck, falls dies vereinbart wurde und das material sortiert ist. sie tragen die transportkosten. fr verpackungsmaterial, das unsortiert an uns zurckgeschickt wird oder das wir nicht annehmen mssen, stellen wir ihnen die anfallenden kosten in rechnung. bauteile, die in lebenserhaltenden apparaten und systemen eingesetzt werden, mssen fr diese zwecke ausdrcklich zugelassen sein! kritische bauteile* drfen in lebenserhaltenden apparaten und systemen** nur dann eingesetzt werden, wenn ein schriftliches einverst?ndnis von osram os vorliegt. *) ein kritisches bauteil ist ein bauteil, das in lebenserhaltenden apparaten oder systemen eingesetzt wird und dessen defekt voraussichtlich zu einer fehlfunktion dieses lebenserhaltenden apparates oder systems fhren wird oder die sicherheit oder effektivit?t dieses apparates oder systems beeintr?chtigt. **) lebenserhaltende apparate oder systeme sind fr (a) die implantierung in den menschlichen k?rper oder (b) fr die lebenserhaltung bestimmt. falls sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die gesundheit und das leben des patienten in gefahr ist.
version 1.0 bpw 34 f 2007-03-29 9 published by osram opto semiconductors gmbh leibnizstra?e 4, d-93055 regensburg www.osram-os.com ? all rights reserved.
|
